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產(chǎn)品中心光電探測(cè)器硅和光電倍增管H11706-40電流型(高量子效率)PMT
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H11706-40 光傳感器模塊包含一個(gè)金屬封裝光電倍增管、一個(gè)高壓電源電路和一個(gè)門電路。門電路可防范光電倍增管的入射光過(guò)高，例如照射樣品的激發(fā)光。H11706-40 具有 GaAsP 光陰極面，在可見(jiàn)光區(qū)域具有高靈敏度。H11706-40 還包括適用于光子計(jì)數(shù)用途的高增益和低暗計(jì)數(shù)“P 型"。
| 光陰極面區(qū)域形狀 | 圓形 |
| 光陰極面區(qū)域尺寸 | 5 mm 直徑 |
| 波長(zhǎng)（短） | 300 nm |
| 波長(zhǎng)（長(zhǎng)） | 720 nm |
| 波長(zhǎng)（峰值） | 580 nm |
| 尺寸 (W x H x D) | 22.0 x 50.0 x 68.0 mm |
| 輸入電壓 | +14.5 至 +15.5 V |
| 最大值 輸入電壓 | 16 V |
| 最大值 輸入電流 | 10 mA |
| 最大值 輸出信號(hào)電流 | 2 μA |
| 最大值 控制電壓 | 0.9 V |
| 建議的控制電壓調(diào)節(jié)范圍 | +0.5 至 +0.8 V |
| [Cathode] 輻射靈敏度典型值 | 176（550 nm 時(shí)）mA/W |
| [Anode] 輻射靈敏度典型值 | 8.8 x 104（550 nm 時(shí)）A/W |
| [Anode] 暗電流（30 分鐘后） 典型值 | 5 nA |
| [Time Response] 上升時(shí)間典型值 | 0.57 ns |
| 波紋噪聲（峰間）最大值 | 0.8 mV |
| 建立時(shí)間最大值 | 0.2 s |
| 工作環(huán)境溫度 | +5 至 +35 °C |
| 儲(chǔ)存溫度 | -20 至 +50 °C |
| 重量 | 135 g |
公司郵箱： qgao@buybm.com
服務(wù)熱線： 021-33897997
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