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產(chǎn)品中心光譜系統(tǒng)瞬態(tài)吸收系統(tǒng)超快瞬態(tài)吸收顯微成像系統(tǒng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
該系統(tǒng)設(shè)計(jì)與奧林巴斯倒置顯微鏡和高速CMOS相機(jī)相結(jié)合，用于檢測(cè)微納樣品的光激發(fā)載流子動(dòng)力學(xué)可視化過程；同時(shí)具備微區(qū)瞬態(tài)反射（透射）光譜和動(dòng)力學(xué)測(cè)試功能。系統(tǒng)同時(shí)具備超快時(shí)間分辨（飛秒）和最高500nm的空間分辨能力。
產(chǎn)品分類
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主要技術(shù)指標(biāo)
| 微區(qū)光譜探測(cè)范圍 | 400-1500nm |
| 檢測(cè)模式 | 透射/反射/微區(qū)/成像 |
| 最高空間分辨率 | 500nm |
| 最高時(shí)間分辨率 | 1.5倍激光脈寬 |
| 時(shí)間窗口 | 8ns |
| 成像波段范圍 | 400-800nm |
| 成像像素點(diǎn) | 640×480 |
| 零點(diǎn)前信噪比 | ≤0.2mOD |
| 設(shè)備拓展性 | 可拓展常規(guī)樣品室，實(shí)現(xiàn)380-1650nm瞬態(tài)吸收光譜測(cè)試 可與低溫恒溫器、探針臺(tái)、電學(xué)調(diào)控裝置和外部磁體耦合 |
| 應(yīng)用實(shí)例1 – 微區(qū)透射測(cè)試 | |||
| 實(shí)驗(yàn)條件 | |||
| 激發(fā)光波長(zhǎng) | 515nm | 掃描延遲時(shí)間點(diǎn)數(shù) | 159 |
| 物鏡倍數(shù) | 50X | 掃描次數(shù) | 3次 |
| 每點(diǎn)積分時(shí)間 | 1.2s | 總測(cè)試時(shí)間 | 9min45s |
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| 應(yīng)用實(shí)例2 – 微區(qū)反射測(cè)試 | |||
| 實(shí)驗(yàn)條件 | |||
| 激發(fā)光波長(zhǎng) | 515nm | 掃描延遲時(shí)間點(diǎn)數(shù) | 59 |
| 物鏡倍數(shù) | 50X | 掃描次數(shù) | 3次 |
| 每點(diǎn)積分時(shí)間 | 1.2s | 總測(cè)試時(shí)間 | 9min45s |
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| 應(yīng)用實(shí)例3 – 寬場(chǎng)TA成像 | |||
| 實(shí)驗(yàn)條件 | |||
| 激發(fā)光波長(zhǎng) | 515nm | 采集頻率 | 1K赫茲 |
| 探測(cè)光波長(zhǎng) | 660nm | 單幅照片積分時(shí)間 | 1s |
| 樣品名稱 | 單層WS2(基底:藍(lán)寶石) | 掃描點(diǎn)數(shù) | 159 |
| 物鏡倍數(shù) | 50X | 掃描次數(shù) | 5次 |
| 探測(cè)尺寸 | 30X45微米 | 總測(cè)試時(shí)間 | 16min |
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| 應(yīng)用實(shí)例4-載流子擴(kuò)散成像 | |||
| 實(shí)驗(yàn)條件 | |||
| 激發(fā)光波長(zhǎng) | 400nm | 單幅照片積分時(shí)間 | 6 s |
| 探測(cè)光波長(zhǎng) | 650nm | 掃描點(diǎn)數(shù) | 109 |
| 樣品名稱 | Bi202Se單晶 | 掃描次數(shù) | 1次 |
| 物鏡倍數(shù) | 50X | 總測(cè)試時(shí)間 | 11min |
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